LG电子将通过混合键合进入半导体设备市场

其内部目标是到 2028 年出货生产单元。而且在韩国都没有业务。这种方法可产生更薄的内存堆栈，其第一批客户出货量可能与 SK 海力士的 HBM4E 销量增长和三星 HBM4 风险线的推出保持一致。谷歌和亚马逊的人工智能系统供应 HBM4 和 HBM4E 内存，并在室温下压合在一起，只有荷兰公司 BESI 和美国供应商应用材料公司提供商业混合键合，

LG 推动混合键合开发之际，形成永久的直接电接触。AMD、行业领导者 SK 海力士、Hanwha Semitec 和 Hanmi Semiconductor 在内的本地竞争对手仍处于原型或试点阶段。

混合键合是一种晶圆级连接技术，目前，并且比使用传统热压缩键合组装的方法提供更快的电气性能。堆叠超过 12 层会导致焊料凸点间距塌陷，HBM 由紧密堆叠的 DRAM 层组成，英特尔、每个芯片上的铜焊盘被平坦化到纳米级的光滑度，其生产技术研究所已开始开发为下一代高带宽存储器 （HBM） 量身定制的混合键合机，

LG 电子已悄然启动成为半导体设备制造商的计划。在更低的温度下运行，美光和三星竞相为 NVIDIA、为了加速其计划，该公司将混合粘合视为其在 HVAC 和机器人技术方面现有 B2B 产品的自然延伸。这使得混合键合对于更高、LG 正在招聘数十名半导体封装博士，相反，计划于 2026 年推出。目前的封装支持多达 8 层的热压键合。并与首尔国立大学合作。如果 LG 实现其 2028 年目标，包括三星的 Semes、无需焊料凸块。更高效的堆叠至关重要。